收藏本站
Si4488DY
Vishay Siliconix
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
150
R DS(on) ( Ω )
0.050 at V GS = 10 V
I D (A)
5.0
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
D
SO-8
S
1
8
D
S
S
G
2
3
4
7
6
5
D
D
D
G
Top View
S
Ordering Information: Si4488DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4488DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
150
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
T A = 25 °C
T A = 70 °C
L = 0.1 mH
I D
I DM
I AS
I S
5.0
4.0
2.8
50
25
3.5
2.8
1.4
A
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
3.1
2.0
- 55 to 150
1.56
1.0
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
33
65
17
40
80
21
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71240
S09-0705-Rev. C, 27-Apr-09
www.vishay.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4505DY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 8-SOIC
SI4532DY MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8
SI4542DY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
SI4542DY MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC
SI4561DY-T1-E3 MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4562DY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
SI4563DY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4565ADY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4490DY 功能描述:MOSFET 200V 4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4490DY_06 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4490DY_13 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI4490DY-E3 功能描述:MOSFET 200V 4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4490DY-T1 功能描述:MOSFET 200V 4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4490DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 200V 4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4490DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 200V 4.0A 3.1W 80mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4493DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET